Тестер транзисторов JFY3022A

Тестер транзисторов JFY3022A

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Тестер транзисторов JFY3022A

Mahsulot haqida

Xususiyatlar

размер

300 х 300 х160

тип

тестер параметров компонента

другое

Бренд

золотой летающий инструмент

другое

модель

JFY3022A

вес

4.2

Обработка и настройка

Да

Tavsif

JFY3022A晶体管参数测试仪详细介绍

※概述:

JFY3022A晶体管参数测试仪，是一种专门用于各种电子元件参数测试的新型多功能测试装置。该机采用大规模MCU设计,中文界面操作,大容量内存,可存2000种元件参数设置数据.仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便,适用电子产品生产厂家或电子元件供应商来料检测。

※             测量元件类型:

N型三极管,P型三极管,N型MOS场效应管,P型MOS场效应管N型结型场效应管,正负三端稳压IC,三端肖特基,基准器431,整流二极管,整流桥堆，可控硅，稳压二极管.

※             测量参数:

■ 整流二极管,三端肖特基，整流桥堆:

参数項

测试参数

测试条件设置

正向压降(VF)

0-2.000V

0-2.000A

耐压(VRR)

0-1500V

0-2.000MA

 

■N型三极管:

参数項

测试参数

测试条件设置

输入正向压降(VBE)

0-2.000V

0-2.000A

耐压(BVCEO)

0-1500V

0-2.000MA

放大倍数(HEF)

0-3000

VCE:0-20V IC:0-2.000A

饱和压降(Vsat)

0-2.000V

IB:0-2.00A IC:0-2.00A

■P型三极管:

参数項

测试参数

测试条件设置

输入正向压降(VBE)

0-2.000V

0-2.000A

耐压(BVCEO)

0-1500V

0-2.000MA

放大倍数(HEF)

0-3000

VCE:5.0V IB:100uA

饱和压降(Vsat)

0-2.000V

IB:0-2.00A IC:0-2.00A

 

N,P型MOS场效应管:

参数項

测试参数

测试条件设置

启动电压(VGS(th))

0-20.00V

0-2.000mA

耐压(BVCEO)

0-1500V

0-2.000mA

导通内阻(Rson)

0.1Mr-200R

Vgs:0-20V Id:0-2.000A

单双向可控硅:

参数項

测试参数

测试条件设置

触发电流(IGT)

0-40.MA

VD=0-20V,ID=0-2.000A

触发电压(VGT)

0-2.000V

VD=0-20V,ID=0-2.000A

耐压(VDRM VRRM)

0-1500V

0-2.000mA

通态压降(VTM)

0-2.000V

IT:0-2.00A

三端稳压IC:

参数項

测试参数

测试条件设置

输出电压(Vo)

0-20.00V

Vin:0-20V Io:0-2.00A

基准IC 431:

参数項

测试参数

测试条件设置

输出电压(Vo)

0-20.00V

IZ:0-200mA

 

■ 稳压二极管:

参数項

测试参数

测试条件设置

稳压值(VZ)

0-20V

0-100MA

稳压值(VZ)

20-200V

0-2.000MA

 

 

Barcha xususiyatlar

Xususiyatlari

размер

300 х 300 х160

тип

тестер параметров компонента

другое

Бренд

золотой летающий инструмент

другое

модель

JFY3022A

Tavsif

JFY3022A晶体管参数测试仪详细介绍

※概述:

JFY3022A晶体管参数测试仪，是一种专门用于各种电子元件参数测试的新型多功能测试装置。该机采用大规模MCU设计,中文界面操作,大容量内存,可存2000种元件参数设置数据.仪器外型美观、性能稳定、测量准确、操作简单、使用安全方便,适用电子产品生产厂家或电子元件供应商来料检测。

※             测量元件类型:

N型三极管,P型三极管,N型MOS场效应管,P型MOS场效应管N型结型场效应管,正负三端稳压IC,三端肖特基,基准器431,整流二极管,整流桥堆，可控硅，稳压二极管.

※             测量参数:

■ 整流二极管,三端肖特基，整流桥堆:

参数項

测试参数

测试条件设置

正向压降(VF)

0-2.000V

0-2.000A

耐压(VRR)

0-1500V

0-2.000MA

 

■N型三极管:

参数項

测试参数

测试条件设置

输入正向压降(VBE)

0-2.000V

0-2.000A

耐压(BVCEO)

0-1500V

0-2.000MA

放大倍数(HEF)

0-3000

VCE:0-20V IC:0-2.000A

饱和压降(Vsat)

0-2.000V

IB:0-2.00A IC:0-2.00A

■P型三极管:

参数項

测试参数

测试条件设置

输入正向压降(VBE)

0-2.000V

0-2.000A

耐压(BVCEO)

0-1500V

0-2.000MA

放大倍数(HEF)

0-3000

VCE:5.0V IB:100uA

饱和压降(Vsat)

0-2.000V

IB:0-2.00A IC:0-2.00A

 

N,P型MOS场效应管:

参数項

测试参数

测试条件设置

启动电压(VGS(th))

0-20.00V

0-2.000mA

耐压(BVCEO)

0-1500V

0-2.000mA

导通内阻(Rson)

0.1Mr-200R

Vgs:0-20V Id:0-2.000A

单双向可控硅:

参数項

测试参数

测试条件设置

触发电流(IGT)

0-40.MA

VD=0-20V,ID=0-2.000A

触发电压(VGT)

0-2.000V

VD=0-20V,ID=0-2.000A

耐压(VDRM VRRM)

0-1500V

0-2.000mA

通态压降(VTM)

0-2.000V

IT:0-2.00A

三端稳压IC:

参数項

测试参数

测试条件设置

输出电压(Vo)

0-20.00V

Vin:0-20V Io:0-2.00A

基准IC 431:

参数項

测试参数

测试条件设置

输出电压(Vo)

0-20.00V

IZ:0-200mA

 

■ 稳压二极管:

参数項

测试参数

测试条件设置

稳压值(VZ)

0-20V

0-100MA

稳压值(VZ)

20-200V

0-2.000MA

 

 

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