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闪存小知识：

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    在U盘、内存卡，SSD等固态存储产品中，闪存芯片颗粒是核心，其关乎产品成本、寿命以及速度。

    闪存芯片颗粒主要有四种种类型，分别为SLC、MLC、TLC，QLC四者之间的区别，如下。

SLC、MlC、TlC,QLC 闪存芯片颗粒区别介绍： 

SLC（单层存储单元）
全称是Single-LevelCell，单层电子结构，每个cell可以存放1bit数据，SLC达到1bit/cell，写入数据的时候电压变化区间小，P/E寿命较长，理论擦写次数在10万次以上，但是由于成本最高，所以SLC颗粒多数用于企业级高端产品中。
MLC（双层存储单元）
全称是Multi-LevelCell，使用高低电压的而不同构建的双层电子结构，MLC达到2bit/cell，P/E寿命较长，理论擦写次数在3000-5000次左右，成本相对较高，但是对于消费级来说也可以接受，多用于家用级高端产品中。
TLC（三层存储单元）
全称是Trinary-LevelCell，三层式存储单元，是MLC闪存延伸，TLC达到3bit/cell，由于存储密度较高，所以容量理论上是MLC的1.5倍，成本较低，但是P/E寿命相对要低一些，理论擦写次数在1000-3000次不等，是目前市面上主流的闪存颗粒。
QLC（四层存储单元）
全称是Quad-LevelCell，四层式存储单元，QLC闪存颗粒拥有比TLC更高的存储密度，同时成本上相比TLC更低，优势就是可以将容量做的更大，成本上更低，劣势就是P/E寿命更短，理论擦写次数仅150次。