MT40A2G8SA-062E магниевого света: F DDR4 16Gb 78FBGA памяти частиц чип IC 1 054 860 so'mdan/oyот 8 790 502 so'm
Для Samsung PM983 7.68T U.2 Интерфейс MZQLB7T6HALA-00W07 Твердотельный накопитель SSD 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Для Samsung PM983 960G U.2 Интерфейс MZQLB960HBJR-00W07 SSD SSD 1 015 081 so'mdan/oyот 8 459 006 so'm
Применяет твердотельные накопители MZWLO7T6HBLA-00A07 корпоративного класса Samsung PM1743 7.68T U.2 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Применяет Intel SSD твердотельный накопитель SSDPF2KE064T1N1 6.4TB DC P5620 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
SK Hynix GDDR6 16Gb H56G42AS4DX014 видеокарта частицы динамической памяти IC 1 054 860 so'mdan/oyот 8 790 502 so'm
MICRON магниевая оптические частицы GDDR6 16Gb MT61K512M32KPA-24:U микросхема памяти 1 054 860 so'mdan/oyот 8 790 502 so'm
Применимо SAMSUNG/Samsung GDDR6 8Gb K4Z80325BC-HC12 видеопамяти чип 1 054 860 so'mdan/oyот 8 790 502 so'm
MICRON/магниевый GDDR6 16Gb MT61K512M32KPA-21:U-видеокарта частицы 1 054 860 so'mdan/oyот 8 790 502 so'm
SK Hynix GDDR6 16Gb H56G32CS2DX005 видеокарта частицы динамической памяти IC 1 054 860 so'mdan/oyот 8 790 502 so'm
SK Hynix GDDR6 16Gb H56G42AS8DX014 видеокарта частицы динамической памяти IC 1 054 860 so'mdan/oyот 8 790 502 so'm
Для Samsung PM1653 7,68 ТБ MZILG7T6HBLA-00A07 интерфейс SAS сервер жесткий диск 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Применимый модуль памяти Hynis DDR4 2933 128GB HMABAGL7ABR4NWMTG LRDIMM 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Применимо для твердотельных накопителей Samsung PM9A3 U.2 Интерфейс MZQL27T6HBLA-00A07 центра обработки данных SSD 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Применимо для Samsung DDR5 128 ГБ 4800 M321RAGA0B20-CWK сервера памяти 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Применимо для памяти ноутбука Samsung 1R x 16 DDR5 8GB 5600 M425R1GB4PB0-CWM 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Применимо для памяти ноутбука Samsung 1R x 8 DDR5 16GB 5600 M425R2GA4DB0-CWM 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Применимо для ноутбука памяти Samsung DDR5 5600 16 ГБ M425R2GA3PB0-CWM SODIMM 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Применимо для Samsung UDIMM флэш-памяти DDR5 5600 32 ГБ M323R4GA3PB0-CWM настольных 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Применимо для памяти ноутбука Samsung 1R x 16 DDR5 8GB 5600 M425R1GB4DB0-CWM 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Применимо для памяти ноутбука Samsung 2R x 8 DDR5 32GB 5600 M425R4GA3PB0-CWM 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Для Samsung Memole DDR5 5600 8 Гб M323R1GB4PB0-CWM UDIMM Настольный ПК 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Применимо для Samsung UDIMM флэш-памяти DDR5 5600 32 ГБ M323R4GA3DB0-CWM настольных 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Для Samsung флэш-памяти DDR5 5600 16 ГБ M323R2GA3PB0-CWM UDIMM настольный 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
H5CGD8MGBDX021N DDR5 24Gb новый оригинальный подлинный HYNIX флэш-электронные компоненты ic 1 054 860 so'mdan/oyот 8 790 502 so'm
Применимый модуль памяти Hynicis DDR5 128GB 4800 HMCT04MEERA133N 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
H5CG48AGBDX018N DDR5 16Gb новый оригинальный подлинный HYNIX флэш-электронные компоненты ic 1 054 860 so'mdan/oyот 8 790 502 so'm
H5ANAG8NCJR-XNC DDR5 16Gb новый оригинальный подлинный HYNIX флэш-электронные компоненты ic 1 054 860 so'mdan/oyот 8 790 502 so'm
Применяет Samsung DDR5 128 ГБ 4800 M321RAGA0B20-CWKBH сервер памяти Huawei 1 048 936 so'mdan/oyот 8 741 130 so'm
Для Samsung DDR4 3200 16Gb K4AAG085WA-BIWE памяти частицы чип IC 1 054 860 so'mdan/oyот 8 790 502 so'm